铝氧化的工艺流程

铝氧化的工艺流程：１上架;水洗;低温抛光。２磨砂料及磨砂电泳料氧化。３着色料及着色电泳料氧化。
    二、上料：
    ①型材上料前应将吊杆接触面打磨干净，并按标准支数上料，其计算公式：上料支数=标准电流标准电流密度单支型材面积
    ②上架支数的考虑原则：a、硅机容量利用率不大于95%；b、电流密度取1.0—1.2A/dm;c、型材形状和两支型材之间留必要的间隙；
    ③氧化时间的计算：氧化时间（t）=膜厚K·电流密度K为电解常数，取0.26—0.32，t单位为分钟；
    ④上排时必须按照《型材面积及上排支数表》规定的支数上架；
    ⑤为了便于排液和排气，上排捆扎时应倾斜，倾斜度5°为宜；
    ⑥两端可超出导电杆10—20mm，最多不得大于50mm。
    三、低温抛光工艺
    ①低温抛光槽中低温抛光剂浓度控制为总酸25—30g/l，最低≥15g/l；
    ②抛光槽温20-30℃不得低于20℃，抛光时间90—200s；
    ③提架倾斜，滴净残液后，迅速放入清水槽中漂洗，经两道水洗后迅速放入氧化槽氧化，在水槽中停留时间不应大于3分钟；
    ④低温抛光材料在抛光前不得进行其它方式的处理，也不能将其它槽液带入抛光槽中。

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